L’analyse de matériaux par RBS-C est disponible in situ grâce à la connexion entre l’implanteur IRMA et l’accélérateur ARAMIS : il est ainsi possible de suivre l’évolution de l’endommagement mesuré par RBS-C (à l’aide d’un faisceau d’hélium provenant d’ARAMIS) induit par l’implantation ionique (faisceau provenant d’IRMA) dans un monocristal, à une température donnée (jusqu’à 600°C).
Pour toute demande d’information : mosaic@ijclab.in2p3.fr