• Mise en service : 1987
  • Conception : CSNSM
  • Types : 2 Megavolts Van de Graaff /Tandem
  • Sources d’ions : PenningMiddleton
  • Coût de fonctionnement : 4160 € HT / jour

ARAMIS est un accélérateur de type Tandem, de tension nominale de 2 MV, qui a été développé au laboratoire. Il possède une source positive (de type Penning) et une source négative (Middleton), associées aux deux modes de fonctionnement de l’appareil, Van de Graaff et Tandem, respectivement.

Doté de porte-objets variés, l’accélérateur d’ions ARAMIS permet d’effectuer un large panel d’études d’irradiation ionique et de synthèse de matériaux. Les 35 éléments chimiques disponibles permettent d’effectuer des études d’endommagement en « auto-irradiation » (sans pollution chimique), avec des flux entre 1×109 et 1×1012 at/(s*cm2), et des masses allant de 1 à 197 UMA, à des énergies comprises entre 100 keV et 11 MeV. Cette gamme de faisceaux d’ions permet également de larges possibilités de dopage de matériaux jusqu’à une profondeur d’une dizaine de µm. Equipé d’un goniomètre 4 axes, de détecteurs SDD et germanium, les techniques d’analyse par faisceaux d’ions (telles que RBS, RBS/C, PIXE, PIGE, ERDA) permettent la quantification élémentaire de matériaux, avec une discrimination en profondeur, ainsi que l’étude de défauts dans les matériaux cristallins. Le couplage avec l’implanteur ionique IRMA permet l’analyse in situ d’effets d’irradiation dans un matériau. Le couplage avec le MET permet l’étude à l’échelle nanométrique et en direct de l’évolution des modifications induites par les ions dans un matériau.

Articles de référence :

Progress report on ARAMIS, the 2 MV tandem at Orsay, H. Bernas, J. Chaumont, E. Cottereau, G. Moroy, C. Clerc, O. Kaïtasov, D. Ledu, M. Salomé, Nucl. Instr. and Meth. B 62 (1992) 416-420 doi

ARAMIS : an ambidextrous 2 MV accelerator for IBA and MeV implantation, E. Cottereau, J. Camplan, J. Chaumont, R. Meunier, H. Bernas, Nucl. Instr. and Meth. B 45 (1990) 293-295 doi

ARAMIS : an accelerator for research on astrophysics, microanalysis and implantation in solids, E. Cottereau, J. Camplan, J. Chaumont, R. Meunier, Materials Science and Engineering B 2 (1989) 217-221 doi

 

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