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Avec sa source Bernas-Nier, l’implanteur d’ions IRMA a la possibilité de fournir des faisceaux de 65 éléments chimiques différents, avec des énergies allant de 5 à 570 keV, ce permet de modifier des matériaux sur des profondeurs inférieures à 500 nm. Les courants d’ions monochargés produits vont de quelques dizaines à quelques centaines de micro-ampères selon les éléments. Avec des flux pouvant dépasser les 1×1013 at/(s*cm2), le large choix d’éléments chimiques permet d’envisager divers travaux tels que le dopage de semi-conducteurs, l’implantation de terres rares dans des cellules solaires, la synthèse de précipités, la création de défauts ou l’incorporation de gaz. De nombreux porte-objets sont disponibles ce qui permet de préparer des échantillons dans une large gamme de température. Son couplage avec l’accélérateur d’ions ARAMIS permet l’analyse par RBS/C in situ des modifications induites dans la microstructure d’un matériau par l’implantation ionique. Son couplage avec ARAMIS et le MET in situ permet des expériences de co-irradiations et observations à l’échelle nanométrique uniques au monde.
Article de référence :
- A medium energy facility for variable temperature implantation and analysis, J. Chaumont, F. Lalu, M. Salomé, A.-M. Lamoise, H. Bernas, Nucl. Instr. and Meth.189 (1981) 193-198 doi
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